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王守武，吴县东山人。半导体器件物理学家、中国科学院院士。
王守武为明代宰相王鏊的后裔，父亲王季同是数学家。生于1919年，1941年毕业于上海同济大学。1945年赴美国留学，先后获硕士、博士学位。1950年怀着对祖国一颗赤诚之心，谢绝高薪挽留，毅然回国，受聘于中国科学院应用物理研究所。曾为志愿军设计了敌机无法发现的特殊车灯和路标，为西藏市民设计太阳灶。1956年参加周恩来总理主持和领导的“全国个二年科学技术发展远景规划”的讨论和制定工作。规划将半导体科学技术的发展列为四大紧急措施之一。是年7月我国第一个半导体研究室成立，王守武被聘为研究室主任。次年，由他组织领导的数十名科技工作者设计制造出了我国第一台控制半导体锗材料的单晶 炉，并在不到半年的时间内试制成功了第一根锗单晶体，同年11月制造出了我国第一批锗晶体管。
1958年，他与弟弟王守觉等人研制成功了我国第一批锗高频合金扩散晶体管。是年他还研制成了我国第一根硅单晶体，并领导创建了我国最早的生产晶体管的工厂。1963年，他组建了激光器研究室，同年研制成功了我国第一台半导体激光器。1978年，又接受了大规模集成电路的研制工作，并于次年研制成功了MOS。1983年，出任大规模集成电路顾问组组长。1998年，以79岁高龄担任中国科学院微电子中心名誉主任。
王守武是中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院技术科学部委员、中国电子学会常务理事、中国物理学会理事、《半导体学报》主编、美国《硅谷》杂志主编。1979年被国务院授予“全国劳动模范”称号。1980年当选为中国科学院院士。 |
